半導体検査装置(ATE)向け MOS FETリレー推奨形式リスト

半導体検査装置では、信号切替用途などでMOS FETリレーが多数使用されています。高周波信号伝送、迅速な応答、高温対応、小型化、高電圧対応など、用途に応じたMOS FETリレーにより、効率的な検査の実現に貢献します。
以下、ATE向けMOS FETリレー推奨形式リストより、お客様のアプリケーションに合う商品をご選択ください

低CxRタイプ
高速応答タイプ
高温対応タイプ
超小型タイプ
高電圧タイプ
その他

低C×Rタイプ

低オン抵抗かつ、低端子間容量で高周波信号の制御に適したMOS FETリレー

各「形式仕様」をクリックすると、商品詳細を確認できます。

負荷電圧(V)	形式仕様	接点構成	連続負荷電流(mA)	最大出力オン抵抗標準(Ω)	出力端子間容量標準(pF)	開路時漏れ電流最大(nA)	パッケージ
20	G3VM-21PR10	1a	200	3	0.8	1	USOP4
20	G3VM-21PR1	1a	450	0.6	5	1	USOP4
20	G3VM-21PR11	1a	900	0.18	40	1	USOP4
20	G3VM-21UR10	1a	200	3	0.8	1	VSON4
20	G3VM-21UR1	1a	450	0.8	5	1	VSON4
20	G3VM-21UR11	1a	1000	0.18	40	1	VSON4
40	G3VM-41PR12	1a	100	15	0.3	1	USOP4
40	G3VM-41PR6	1a	120	10	1	0.2	USOP4
40	G3VM-41PR10	1a	120	12	0.45	1	USOP4
40	G3VM-41PR11	1a	140	7	0.7	1	USOP4
40	G3VM-41PR5	1a	300	1	10	1	USOP4
40	G3VM-41UR12	1a	100	15	0.3	1	VSON4
40	G3VM-41UR10	1a	120	12	0.45	1	VSON4
40	G3VM-41UR11	1a	140	5	0.7	1	VSON4
40	G3VM-41UR4	1a	250	2	5	1	VSON4
40	G3VM-41QR10	1a	120	11	0.45	1	S-VSON(L)4
50	G3VM-51PR	1a	300	1	12	1	USOP4
50	G3VM-51UR	1a	300	1	12	1	VSON4
60	G3VM-61QR	1a	400	1.1	12	1000	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QR3	1a	400	1.1	12	1000	S-VSON(L)4
60	G3VM-61YR	1a	400	1.1	12	1000	WSON4

高速応答タイプ

検査時間短縮のため動作・復帰速度が速いMOS FETリレー

各「形式仕様」をクリックすると、商品詳細を確認できます。

負荷電圧(V)	形式仕様	接点構成	連続負荷電流(mA)	動作時間最大(ms)	復帰時間最大(ms)	パッケージ
20	G3VM-21PR10	1a	200	0.2	0.2	USOP4
20	G3VM-21UR10	1a	200	0.2	0.2	VSON4
40	G3VM-41PR10	1a	120	0.2	0.3	USOP4
40	G3VM-41PR11	1a	140	0.2	0.2	USOP4
40	G3VM-41PR12	1a	100	0.2	0.2	USOP4
40	G3VM-41PR6	1a	120	0.2	0.3	USOP4
40	G3VM-41QR10	1a	120	0.2	0.3	S-VSON(L)4
40	G3VM-41UR10	1a	120	0.2	0.3	VSON4
40	G3VM-41UR11	1a	140	0.2	0.2	VSON4
40	G3VM-41UR12	1a	100	0.2	0.2	VSON4
60	G3VM-61PR1	1a	120	0.2	0.2	USOP4
60	G3VM-61QR3	1a	400	0.25(0.13)*	0.2(0.2)*	S-VSON(L)4
60	G3VM-61UR1	1a	120	0.2	0.2	VSON4
60	G3VM-61YR	1a	400	0.25(0.2)*	0.2(0.2)*	WSON4

＊If=5mA,RL=200Ω,VDD=20Vの場合。()内はIf=10mA,RL=200Ω,VDD=20Vの場合。

高温対応タイプ

パワー半導体などの高温試験に対応し、高密度実装時の温度上昇にも強いMOSFETリレー

各「形式仕様」をクリックすると、商品詳細を確認できます。

負荷電圧(V)	形式仕様	接点構成	連続負荷電流(mA)	使用周囲温度最大(℃）	パッケージ
30	G3VM-31QV2H	1a	1500	125	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV3H	1a	1000	125	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV3L	1a	400	125	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV4H	1a	400	125	S-VSON(L)4

超小型タイプ

基板上の多数個実装や高密度実装に適した小型・軽量タイプのMOS FETリレー

各「形式仕様」をクリックすると、商品詳細を確認できます。

負荷電圧(V)	形式仕様	接点構成	連続負荷電流(mA)	長さ(mm)	幅(mm)	高さ(mm)	重量(g)	パッケージ
30	G3VM-31QR	1a	1300	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
30	G3VM-31QVH	1a	1500	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
30	G3VM-31QVL	1a	1500	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
30	G3VM-31QV2H	1a	1500	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
40	G3VM-41QR10	1a	120	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61YR	1a	400	2	1.45	0.8	0.01	WSON4
60	G3VM-61QR	1a	400	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QR3	1a	400	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QR2	1a	1000	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QVH	1a	400	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV2H	1a	1000	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV2L	1a	1000	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV3H	1a	1000	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV3L	1a	400	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
60	G3VM-61QV4H	1a	400	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4
100	G3VM-101QR1	1a	650	2	1.45	1.3	0.01	S-VSON(L)4

高電圧タイプ

パワー半導体などの高電圧試験に適したMOS FETリレー

各「形式仕様」をクリックすると、商品詳細を確認できます。

負荷電圧(V)	形式仕様	接点構成	連続負荷電流(mA)	パッケージ
600	G3VM-601AY1/601DY1	1a	90	DIP4
600	G3VM-601AY2/601DY2	1a	90	DIP4
600	G3VM-601CR/601FR	1a	600	DIP8
600	G3VM-601G	1a	90	SOP4
600	G3VM-601G1	1a	70	SOP4

その他

上記はオムロンが提供しているMOS FETリレーの一部機種のみピックアップしたものです。他にご要望の場合は、以下パラメトリックサーチをご活用いただき、お客様のご要望仕様に合う形式をご選択ください。

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