低消費電力駆動 B お客様製品の脱炭素化に貢献 MOS FETリレー （高感度タイプ）
形G3VM-61G2/61G3、
形G3VM-201G1/201G2、形G3VM-351G1、
形G3VM-401G1、形G3VM-601G1/601G、
形G3VM-61VY4、形G3VM-351VY1

【ご提供価値】

• MOS FETリレーの駆動電流低減により、機器の省エネ化の選択肢を増やすことが可能。
• ※ 同パッケージ品からの置き換えの場合、実装部のパターン設計の変更は必要ありません。 ※ ご選定いただいたMOS FETリレーの動作条件に応じて、入力電流の再設計（制限抵抗値の見直しなど）が必要となります。

MOS FETリレーを低消費電流で
駆動させる仕組み

MOS FETリレーはメカニカルリレーと異なり、LED素子の発光エネルギーをPDA素子が受け取ることで発電し、出力側MOS FETを動作させる構造です。そして、その消費電流の要となるのは発光素子と受光素子です。オムロンのMOS FETリレー高感度タイプは、受光素子であるPDA素子の感度を高めることで、LED素子の発光エネルギーが小さくても通電できるよう設計されており、低消費電流での駆動を実現しました。

MOS FETリレー内部構造　従来品と高感度タイプの違い

オムロンのMOS FETリレー（高感度タイプ）代表機種ラインアップ