MOS FETリレーを半導体と一緒にプリント基板にはんだ実装しています。洗浄は半導体と同様の条件で可能でしょうか？
洗浄条件を教えてください。また、超音波洗浄は可能でしょうか？

MOS FETリレーの洗浄について

• フラックス洗浄における注意事項
  
  1. フラックス洗浄は、ナトリウム、塩素などの反応性イオンの残留がないように洗浄してください。
     有機溶剤によっては、水と反応し塩化水素などの腐食性ガスを発生させ、MOS FETリレーの劣化を生じさせる恐れがあります。
  2. 水洗浄に際しては、特にナトリウム、塩素などの反応性イオンの残留がないようにしてください。
  3. 洗浄中または、洗浄液がMOS FETリレーに付着した状態で、ブラシや手で表示マーク面をこすらないでください。
     表示マークが消える恐れがあります。
  4. 浸漬洗浄、シャワー洗浄、およびスチーム洗浄は溶剤の化学的作用により洗浄を行います。溶剤中やスチーム中の浸漬時間は、MOS FETリレーへの影響を考慮して、液温50℃以下で1分以内に処理してください。
• 超音波洗浄における注意事項
  超音波による洗浄を行う場合は短時間で行ってください。長時間の洗浄はモールド樹脂とフレーム材との密着性を低下させる恐れがあります。尚、推奨する基本的な条件は下記の通りです。
  
  • 【超音波洗浄の推奨条件】
    周波数：27～29kHz
    超音波出力：300W以下（0.25W/cm2以下）
    洗浄時間：30秒以下
    また、超音波振動子とプリント基板やMOS FETリレーが、直接接触しないように溶剤中に浮遊した状態で行ってください。

MOS FETリレー　共通の注意事項：●フラックス洗浄をご参照ください。

洗浄残渣は、絶縁性低下や端子腐食の原因になりますので、洗浄状態を確認して行ってください。
超音波洗浄は、できるだけ短時間で行ってください。