形 G3VM-□MT MOS FETリレーモジュール

MOS FETリレー モジュール: G3VM-□MT

漏れ電流1pA以下により
機器の高信頼性化に貢献

  • 負荷電圧 20V/60V/100V *1
  • Tスイッチ機能搭載でfAレベルの極小漏れ電流を実現し、従来のリードリレーと同等の計測性能に貢献 *2
  • 小型パッケージでプリント基板上の実装スペース削減に貢献

*1. 形G3VM-21MT:高アイソレーションタイプ(インサーションロスtyp. -3dB@1GHz)
(アイソレーションtyp. -20dB@1GHz_5ピンON状態でGND接続時)
形G3VM-61MT:高電流タイプ(連続負荷電流IO=800mA)
形G3VM-101MT:高耐圧タイプ(負荷電圧VOFF=100V)

*2. 測定条件 形G3VM-21MT@VOFF=20V、形G3VM-61MT@VOFF=50V、形G3VM-101MT@VOFF=80V

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カタログ

データ種別 ファイル名 更新日
データシート データシート G3VM-□MT
注意事項 MOS FETリレー 共通の注意事項
セレクションガイド G3VM MOS FET RELAY セレクションガイド
用語集 MOS FETリレー 用語解説
技術解説 The解決 [MOS FETリレー編] 会員専用

操作マニュアル/ソフトウェア

データ種別 ファイル名 更新日
ユーザーズマニュアル 形G3VM-□MT用リファレンスデザインレポート ダウンロード使用許諾

*ソフトウェアをダウンロードいただくには、本製品の使用許諾契約への同意が必要です。

MODEL LIST形式一覧

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形式 2D/3D CAD*1 ECAD*2 購入 生産状況
G3VM-101MT ログイン/会員登録 ログイン/会員登録
生産中
G3VM-101MT(TR01) ログイン/会員登録 ログイン/会員登録
生産中
G3VM-21MT ログイン/会員登録 ログイン/会員登録
生産中
G3VM-21MT(TR01)
生産中
G3VM-61MT ログイン/会員登録 ログイン/会員登録
生産中
G3VM-61MT(TR01) ログイン/会員登録 ログイン/会員登録
生産中
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