形 G3VM-□MT MOS FETリレーモジュール
- 新
漏れ電流1pA以下により
機器の高信頼性化に貢献
- 負荷電圧 20V/60V/100V *1
- Tスイッチ機能搭載でfAレベルの極小漏れ電流を実現し、従来のリードリレーと同等の計測性能に貢献 *2
- 小型パッケージでプリント基板上の実装スペース削減に貢献
*1. 形G3VM-21MT:高アイソレーションタイプ(インサーションロスtyp. -3dB@1GHz)
(アイソレーションtyp. -20dB@1GHz_5ピンON状態でGND接続時)
形G3VM-61MT:高電流タイプ(連続負荷電流IO=800mA)
形G3VM-101MT:高耐圧タイプ(負荷電圧VOFF=100V)
*2. 測定条件 形G3VM-21MT@VOFF=20V、形G3VM-61MT@VOFF=50V、形G3VM-101MT@VOFF=80V
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カタログ
| データ種別 | ファイル名 | 更新日 |
|---|---|---|
| データシート | データシート G3VM-□MT | |
| 注意事項 | MOS FETリレー 共通の注意事項 | |
| セレクションガイド | G3VM MOS FET RELAY セレクションガイド | |
| 用語集 | MOS FETリレー 用語解説 | |
| 技術解説 | The解決 [MOS FETリレー編] 会員専用 |
操作マニュアル/ソフトウェア
| データ種別 | ファイル名 | 更新日 |
|---|---|---|
| ユーザーズマニュアル | 形G3VM-□MT用リファレンスデザインレポート ダウンロード使用許諾 |
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MODEL LIST形式一覧
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