次世代パワー半導体検査装置(ATE)向けSiC MOSFETリレー 推奨形式リスト
次世代パワー半導体検査装置では、高電圧領域の信号切替用途にリードリレーが広く使用されています。一方で、小型化や保守性の観点での課題もあり、高電圧・高耐圧に対応したSiC MOSFETリレーを活用することで、より効率的な検査の実現に貢献します。
以下のATE向けSiC MOSFETリレー推奨形式リストより、お客様のアプリケーションに適した商品をご確認ください。

高電圧タイプ
パワー半導体などの高電圧試験に適したSiC MOSFETリレー
各「形式仕様」をクリックすると、商品詳細を確認できます。
| 負荷電圧(V) | 形式仕様 | 接点構成 | 連続負荷電流(mA) | パッケージ |
|---|---|---|---|---|
| 1800V | G3VH-181B/181E | 1a | 30mA | DIP6 |
| 3000V | G3VH-331B/331E | 1a | 300mA | DIP6 |