次世代パワー半導体検査装置(ATE)向けSiC MOSFETリレー 推奨形式リスト

次世代パワー半導体検査装置では、高電圧領域の信号切替用途にリードリレーが広く使用されています。一方で、小型化や保守性の観点での課題もあり、高電圧・高耐圧に対応したSiC MOSFETリレーを活用することで、より効率的な検査の実現に貢献します。

以下のATE向けSiC MOSFETリレー推奨形式リストより、お客様のアプリケーションに適した商品をご確認ください。

高電圧タイプ

パワー半導体などの高電圧試験に適したSiC MOSFETリレー

各「形式仕様」をクリックすると、商品詳細を確認できます。

負荷電圧(V) 形式仕様 接点構成 連続負荷電流(mA) パッケージ
1800V G3VH-181B/181E 1a 30mA DIP6
3000V G3VH-331B/331E 1a 300mA DIP6