vol.249 October 2021
世界初*1、漏れ電流1pA以下を
ワンパッケージで実現
T字型回路構造のMOS FETリレーモジュール 形G3VM-□MTは漏れ電流の劇的な低減で、リードリレーから置き換えが難しかった用途（高精度な測定を行う機器）にも使用できます。
＊1. 2021年9月現在、当社調べ
技術(T字型回路)と発想(ワンパッケージ化)の合わせ技で、漏れ電流1pA以下を実現
形G3VM-□MT 漏れ電流の極小化+長寿命+省スペース化・省工数化
漏れ電流の極小化
従来のMOS FETリレーでは困難であった漏れ電流の極小化(1pA以下)を実現し、機器の測定精度向上に貢献します。
半導体リレーだから長寿命
接点摩耗がなく長寿命な半導体リレー(無接点出力)のため、メンテナンス工数の大幅削減、および部品コストの削減に貢献します。
ワンパッケージによる省面積化と省工数化
出力回路の配線をワンパッケージに内蔵することで、基板面でT字型回路を構成するよりも、省面積化による装置の小型化、実装工数1/3での省工数化に貢献します。
＊2. 一般的な信号用リレーの機械的耐久性回数の参考値として、5,000万回としています。
＊3. 一般的なリードリレーの耐久性回数の参考値として、1億回としています。一方、形G3VM-□MT(Tモジュール)は半導体リレーのため開閉回数による寿命がありません。機械的耐久性を寿命として記載しています。
*2021年9月現在の内容です。
お断りなく仕様などを変更をすることがありますのでご了承ください。
