vol.275 December 2023
![品揃えONBOARD](/sites/default/files/2022-06/icon_flag03.png)
高容量タイプのMOS FETリレーに
1b接点タイプが新しくシリーズ追加
セーフティ(アラーム信号出力など)や消費電力低減の用途で用いられる1b接点 タイプに新シリーズが登場しました。6ピン高容量タイプで、最大1.2Aの大電流通電が可能です。お客様の設計の幅を広げることに貢献します。
![NEW MOS FETリレー 形G3VM-63BR/ER L7.12mm×W6.4mm×H3.65mm(1.2Aの大電流通電)](/sites/default/files/2023-11/onboard_275_2_01.png)
注.( )内数値は、連続負荷電流を示しています。
アプリケーション例
![](/sites/default/files/2023-10/onboard_274_2_06.png)
![](/sites/default/files/2023-10/onboard_274_2_07.png)
![](/sites/default/files/2023-10/onboard_274_2_08.png)
![](/sites/default/files/2023-10/onboard_274_2_09.png)
![](/sites/default/files/2023-10/onboard_274_2_10.png)
![](/sites/default/files/2023-10/onboard_274_2_11.png)
メカニカルリレー並みの低オン抵抗を実現し、1.2Aの大電流通電が可能
従来は導通損失での発熱により、大電流を流すことが困難でした。
形G3VM-63BR/ERは0.3Ωのメカニカルリレー並みの低オン抵抗を実現したことで、1.2Aの大電流通電が可能となりました。
使用周囲温度110℃での使用が可能
FA機器などでは、高温環境での使用や機器内部の発熱により、搭載部品の周囲環境温度が100℃を超える場合があります。形G3VM-63BR/ERは、使用周囲温度110℃での使用を保証しています。高温環境下で使用される機器に対しても、安心設計が可能です。
MOS FETリレーについて、
さらに詳しく知りたい方は関連コンテンツをご覧ください。
*2023年11月現在の内容です。
お断りなく仕様などを変更をすることがありますのでご了承ください。