MOS FETリレーの手はんだ付けの温度条件はプリント基板用リレーと同様の条件でいいでしょうか？
ID： FAQE10078
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回答回答
MOS FETリレーの手はんだ付けの温度条件は、350℃ 3秒以内 または、260℃ 10秒以内です。
プリント基板用リレーとは僅かに違いますが、過大な熱ストレスをあたえない条件ではんだ付けしてください。
Explanation解説
MOS FETリレーの手はんだ付けについて
- 手はんだ付けは、350℃ 3秒以内 もしくは 260℃ 10秒以内で行ってください。
なお、VSON、S-VSON、P-SONシリーズ品の手はんだ条件は、260℃ 10秒以内で行ってください。 - 手はんだ付け回数は1回です。 手直しで一度取り外した場合、再使用は避けてください。
MOS FETリレー 共通の注意事項：はんだ付け実装をご参照ください。
プリント基板用リレー共通の注意事項：6-10「プリント基板用リレーの自動実装について」をご参照ください。
ワンポイントアドバイス
熱の影響を低減させるため、可能な限り低ワットのはんだごてをご使用ください。
| 商品カテゴリー | リレー MOS FETリレー |
|---|---|
| 分類 | 実装・保管 |
| 関連キーワード |
|
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