MOS FETリレーの手はんだ付けの温度条件はプリント基板用リレーと同様の条件でいいでしょうか?

ID: FAQE10078

更新:

Answer回答

MOS FETリレーの手はんだ付けの温度条件は、350℃ 3秒以内 または、260℃ 10秒以内です。
プリント基板用リレーとは僅かに違いますが、過大な熱ストレスをあたえない条件ではんだ付けしてください。

Explanation解説

MOS FETリレーの手はんだ付けについて

  • 手はんだ付けは、350℃ 3秒以内 もしくは 260℃ 10秒以内で行ってください。
    なお、VSON、S-VSON、P-SONシリーズ品の手はんだ条件は、260℃ 10秒以内で行ってください。
  • 手はんだ付け回数は1回です。 手直しで一度取り外した場合、再使用は避けてください。
    • MOS FETリレー 共通の注意事項:はんだ付け実装をご参照ください。
      プリント基板用リレー共通の注意事項:6-10「プリント基板用リレーの自動実装について」をご参照ください。

ワンポイントアドバイス

熱の影響を低減させるため、可能な限り低ワットのはんだごてをご使用ください。

商品カテゴリー リレー MOS FETリレー
分類 実装・保管
関連キーワード
  • MOS FETリレー
  • プリント基板用リレー
  • 手はんだ付け
  • 温度条件

お調べの情報が見つからないとき