低消費電力駆動 B お客様製品の脱炭素化に貢献 MOS FETリレー (高感度タイプ)
形G3VM-61G2/61G3、
形G3VM-201G1/201G2、形G3VM-351G1、
形G3VM-401G1、形G3VM-601G1/601G、
形G3VM-61VY4、形G3VM-351VY1

低消費電流で駆動する
「高感度」なリレーで
お客様機器の
省エネ設計に貢献

MOS FETリレー

環境問題に対応するため、様々な機器において、消費電力を削減する省エネ設計が課題となっています。お客様機器に高感度タイプのリレーを選定いただき、部品そのものの消費電力を下げることも環境対策のひとつです。高感度タイプのMOS FETリレーは従来品よりも小さな電流で駆動できるため、低消費電力化に貢献いたします。

従来品と高感度タイプにおける消費電流の違い
(各形式の推奨動作条件をもとに算出)

従来品:形G3VM-61VY3 100% 高感度タイプ:形G3VM-61G2 消費電流70%削減*1 形G3VM-61G3 消費電流93%削減*1

*1. 従来品と高感度タイプとの比較。

【ご提供価値】

  • MOS FETリレーの駆動電流低減により、機器の省エネ化の選択肢を増やすことが可能。
  • ※ 同パッケージ品からの置き換えの場合、実装部のパターン設計の変更は必要ありません。 ※ ご選定いただいたMOS FETリレーの動作条件に応じて、入力電流の再設計(制限抵抗値の見直しなど)が必要となります。

MOS FETリレーを低消費電流で
駆動させる仕組み

MOS FETリレーはメカニカルリレーと異なり、LED素子の発光エネルギーをPDA素子が受け取ることで発電し、出力側MOS FETを動作させる構造です。そして、その消費電流の要となるのは発光素子と受光素子です。オムロンのMOS FETリレー高感度タイプは、受光素子であるPDA素子の感度を高めることで、LED素子の発光エネルギーが小さくても通電できるよう設計されており、低消費電流での駆動を実現しました。

MOS FETリレー内部構造 従来品と高感度タイプの違い

従来品:PDA素子の感度 普通、光量大で動作 高感度タイプMOS FETリレー:PDA素子の感度 高い、光量小でも動作

オムロンのMOS FETリレー(高感度タイプ)代表機種ラインアップ

従来品:形G3VM-61VY3、形G3VM-201G、形G3VM-351VY、形G3VM-401VY 高感度タイプ(消費電流73%削減*1.):形G3VM-61VY4 形G3VM-61G2、形G3VM-201G1、形G3VM-351VY1 形G3VM-351G1、形G3VM-601G 高感度タイプ(消費電流93%削減*1.):形G3VM-61G3、形G3VM-201G2、形G3VM-401G1、形G3VM-601G1

*1. 従来品と高感度タイプとの比較。

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